開(kāi)機(jī)延遲時(shí)間測(cè)試

開(kāi)機(jī)延遲時(shí)間測(cè)試：
開(kāi)關(guān)電源使用的半導(dǎo)體功率器件，在上電和斷電時(shí)都會(huì)受到?jīng)_擊。所以需要對(duì)開(kāi)關(guān)電源進(jìn)行電源開(kāi)關(guān)循環(huán)試驗(yàn)，測(cè)試電源在滿載的情況下是否能連續(xù)承受開(kāi)關(guān)操作下的沖擊，確保電源的耐久性。

測(cè)試條件：將被測(cè)電源放置在室溫環(huán)境中，輸入電壓115Vac/230Vac，輸出負(fù)載為滿載。將被測(cè)電源開(kāi)關(guān)ON，持續(xù)時(shí)間為5s，然后將開(kāi)關(guān)撥到OFF，持續(xù)時(shí)間5s，重復(fù)此過(guò)程。一次開(kāi)關(guān)的過(guò)程為一個(gè)測(cè)試周期，整個(gè)試驗(yàn)需持續(xù)至少5000個(gè)周期。試驗(yàn)過(guò)程中每完成1000個(gè)周期，記錄被測(cè)開(kāi)關(guān)電源的輸入功率和輸出電壓。待試驗(yàn)結(jié)束后，如果待測(cè)產(chǎn)品在試驗(yàn)前后的電氣性能沒(méi)有差異，則通過(guò)此試驗(yàn)。

這需要測(cè)試設(shè)備具有足夠長(zhǎng)的存儲(chǔ)，可以在保持較高采樣率的情況下進(jìn)行長(zhǎng)期波形捕捉。

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)(控制和響應(yīng))，又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)(功率級(jí)較為耐用)。若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOSFET截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使晶體管截止。因此，IGBT**可靠與否主要由以下因素決定：

? IGBT柵極與發(fā)射極、集電極與發(fā)射極之間的電壓
? 流過(guò)IGBT集電極－發(fā)射極的電流
? IGBT的結(jié)溫

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